Samsung Electronics ha dado un paso significativo hacia el futuro con la inauguración de su nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores, NRD-K, en su campus de Giheung. La ceremonia de apertura contó con la presencia de aproximadamente 100 invitados, entre ellos proveedores y clientes, quienes se sumaron al evento para celebrar este importante hito para la compañía.
Este nuevo centro de investigación, cuya construcción comenzó en 2022, está diseñado para ser una base central en las áreas de memoria, LSI de sistema y fundición de semiconductores de Samsung. Gracias a su moderna infraestructura, permitirá realizar investigaciones y validaciones de productos en un solo lugar. Samsung tiene planes de invertir cerca de 20 billones de wones surcoreanos en el complejo para el año 2030, que se construye sobre una superficie de 109,000 metros cuadrados en Giheung. Además, se espera que la línea de I+D comience a operar a mediados de 2025.
Young Hyun Jun, Vicepresidente y Director de la División de Soluciones para Dispositivos de Samsung Electronics, destacó el impacto que tendrá el NRD-K en el ritmo de desarrollo de la compañía. Según expresó, esto permitirá establecer un ciclo virtuoso que acelerará tanto la investigación fundamental en tecnología de próxima generación como la producción en masa. Asimismo, señaló que se están sentando las bases para un nuevo avance en Giheung, un lugar emblemático para Samsung, ya que allí comenzó su historia hace 50 años en el ámbito de los semiconductores.
Park Gwang-Sun, jefe de Applied Materials Korea, también subrayó la importancia de las colaboraciones estratégicas, afirmando que su empresa está comprometida en acelerar la velocidad de innovación junto a Samsung Electronics. Este esfuerzo conjunto busca impulsar una nueva ola de crecimiento en la industria de los semiconductores.
El campus de Giheung es reconocido históricamente por ser el lugar donde se desarrolló el primer DRAM de 64 megabits del mundo en 1992, consolidando el liderazgo de Samsung en el sector. Con el nuevo complejo de I+D, la compañía prevé avances significativos en tecnología de procesos y herramientas de fabricación, manteniéndose a la vanguardia en innovación.
El NRD-K estará equipado con tecnología de litografía extrema ultravioleta (EUV) de alta NA y equipos para la deposición de nuevos materiales. Estos recursos serán clave para acelerar el desarrollo de semiconductores de memoria de próxima generación, tales como el DRAM 3D y el V-NAND con más de 1,000 capas. Además, se está planeando la instalación de una infraestructura de unión de obleas con capacidades innovadoras, como la unión oblea a oblea.
Por último, Samsung ha alcanzado un récord de inversión en I+D en el tercer trimestre de este año, con un desembolso de 8.87 billones de wones surcoreanos. La compañía sigue empujando los límites para reforzar su competitividad en tecnologías futuras, incluyendo el empaquetado avanzado para la producción de memoria de alta capacidad (HBM).
