Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha comenzado la producción en masa de su unidad de un terabit (Tb) de célula de triple nivel (TLC) 9ª generación de V-NAND, reafirmando su posición dominante en el mercado de NAND flash. Esta nueva tecnología, que presenta una densidad de bits líder en la industria, mejora la productividad gracias a su innovadora estructura de apilamiento doble y tecnología avanzada de grabado de agujeros de canal.
“Nos complace anunciar la primera V-NAND de 9ª generación de la industria, la cual impulsará significativamente las aplicaciones futuras. Para abordar las necesidades en constante evolución de las soluciones de NAND flash, Samsung ha llevado más allá los límites en la arquitectura de celdas y el esquema operativo de nuestro próximo producto,” declaró SungHoi Hur, jefe de Producto y Tecnología de Flash del Negocio de Memoria en Samsung Electronics. “Con nuestra última V-NAND, Samsung continuará marcando tendencia en el mercado de unidades de estado sólido (SSD) de alto rendimiento y alta densidad, satisfaciendo las demandas de la próxima generación de inteligencia artificial.”
Samsung ha logrado mejorar la densidad de bits de la V-NAND de 9ª generación en aproximadamente un 50% en comparación con la V-NAND de 8ª generación, gracias al tamaño de celda más pequeño y el molde más delgado de la industria. Innovaciones clave como la evitación de interferencias de celda y la extensión de vida de celda han sido aplicadas para mejorar la calidad y fiabilidad del producto. Además, la eliminación de agujeros de canal falsos ha reducido significativamente el área planar de las celdas de memoria.
La avanzada tecnología de grabado de agujeros de canal de Samsung, que demuestra la superioridad de la empresa en capacidad de procesos, crea caminos electrónicos apilando capas de molde y maximiza la productividad de fabricación. Esta tecnología se vuelve crucial a medida que aumenta el número de capas de celda, requiriendo técnicas de grabado más sofisticadas.
Equipado con la interfaz NAND flash de próxima generación, Toggle 5.1, la V-NAND de 9ª generación soporta velocidades de entrada/salida de datos aumentadas en un 33%, alcanzando hasta 3,2 gigabits por segundo (Gbps). Junto con esta nueva interfaz, Samsung planea consolidar su posición en el mercado de SSD de alto rendimiento expandiendo el soporte para PCIe 5.0.
La eficiencia energética también ha sido mejorada en un 10% gracias a avances en diseño de bajo consumo, en comparación con la generación anterior. Dado que la reducción del uso de energía y las emisiones de carbono se vuelven vitales para los clientes, se espera que la V-NAND de 9ª generación de Samsung sea una solución óptima para aplicaciones futuras.
Samsung ha iniciado este mes la producción en masa de la V-NAND TLC de 1Tb de 9ª generación, y lanzará el modelo de célula de cuádruple nivel (QLC) en la segunda mitad de este año.